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打结，结环等问题。表现：电缆绝缘层可承受90℃的额定温度，但护套没有额定温度。护套是为了形成的机械强度，这是其基本功能。如导线在90℃的自由空气中工作，且电流不超过额定电流，则电缆使用寿命可达到预期。废铜以后如何进行分类废铜分类种：包括、无涂层、无合金的纯铜线，表面无氧化，不含毛丝，铜线直径不小于1.6mm。第二种包括洁净、无色泽、无涂层、无锡、无合金的纯铜线和铜电缆线，不含毛丝和烧过的易碎的铜线。第三种无合金的废铜线，含有杂料，含铜量为96%（含量94%）。不得含有过分铅化和锡化的铜线、焊接过的铜线、黄铜和青铜线、过多的油、废钢铁和非金属、脆的过烧线、绝缘性铜线和过多的细丝线。
因此需要实现化编程，将常用的程序标准化、共享化，减少新发所需工时。工程类型，也就是上面所说的简单和结构化程序，如果我们所要控制的内容比较少，功能比较单一，逻辑不怎么复杂的可以选择简单工程，使用指令表、梯形图和SFC即可完成。如果是控制对象较多、大规模的过程控制或者分布式网络控制则需要采用结构化编程，通过再利用缩短编程时间、消减重新分配软元件的时间。简单化与结构化 重要的区别就是“标签”的使用。下表表示恒压驱动电路在低速时，对单极与双极驱动工作效率的比较。电流与线圈匝数之积称为安匝，与转矩成正比，两者如转速相同，输出功率也与其有比例关系。由于低速时，电抗小，电抗如果忽略不计，V/R即为电流，与N之积VN/R变成安匝数。同样，双极电流为V/2R，匝数也为2N，此积与单极情形相同为VN/R。输入恒压驱动的情形，双极与单极比较，如下表所示，电流只有单极的1/2，低速时的效率为单极的2倍。小型化或低速时，要产生大转矩的情况，应使用双极式驱动，但驱动电路复杂。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。熟悉发环境的发流程后，就可按照引导教材或者用户手册，逐一了解单片机的各功能模块的特性并完成对应的功能模块的实验操作。逐个模块熟悉下来，基本上一款单片机即可学会使用。这样一个流程下来，能够掌握单片机的基本操作。希望熟练掌握则需要进一步通过完成更为复杂的实验或者项目来锻炼。前面的介绍中也强调了实验的重要性，实际上大多数学习单片机的初学者都会陷入一个误区，过度的重视实验，把绝大部分精力放在调试上，却忽视了单片机使用原理的学习。
